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短沟道效应

短沟道效应

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短沟道效应:缓变沟道的近似不再成立,这个二维电势分布会导致阈值电压随L的缩短而下降,亚阈值特征的降级以及由于隧穿穿透效应而使电流饱和失效,在沟道出现二维电势分布以及高电场,这些不同于长沟道MOS场效应晶体管特性的现象,统称为短沟道效应。沟道长度减小到一定程度后,源、漏结的耗尽区在整个沟道中所占的比重增大,栅下面的硅表面形成反型层所需的电荷量减小,因而阈值电压减小。
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