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非理想效应、电荷控制模型、基渡时间

非理想效应、电荷控制模型、基渡时间

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非理想效应、电荷控制模型、基渡时间的关系。对于双极型晶体管,少数载流子渡越中性基区的时间τB即称为基区渡越时间;它与基区宽度W直接有关,对于基区较宽、特征频率fT不是很高的晶体管,τB往往是决定晶体管频率特性的主要因素,这时为了提高频率性能,就应当减小基区宽度。
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