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非理想型MOS和MOSFET结构与操作

非理想型MOS和MOSFET结构与操作

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MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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